在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP，将得到的灯光用（）聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。
A、凸透镜
B、凹透镜
C、聚光镜
D、平光镜
A.钢铁、水泥、平板玻璃、多晶硅、煤化工
B.钢铁、水泥、电解铝、平板玻璃、船舶
C.钢铁、水泥、多晶硅、电解铝
D.钢铁、水泥、非晶硅、煤化工
A.单晶硅
B.晶体硅
C.多晶硅
第三代计算机使用（）作为电路元件
A、晶体管
B、多晶硅
C、半导体
D、集成电路
下列属于多晶硅制备的方法有（）
A、硅烷法
B、流化床法
C、改良西门子法
D、浮游带熔融法
以下属于我国产能过剩行业的有()。
A.钢铁
B.水泥
C.平板玻璃
D.煤化工
E.多晶硅
F.风电设备
目前，商品太阳能电池组件主要包括（）太阳能电池3种。
A、单晶硅
C、非晶硅
D、以上全不是
实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。
A、对
B、错
太阳辐射量较低.散射分量较大.环境温度较高的地区宜选用（）。
A、单晶硅光伏组件
B、多晶硅光伏组件
C、薄膜光伏组件
对于铸造多晶硅氧浓度越（），钝化效果越（），少数载流子寿命增加越（）
A、低，好，多
B、低，好，少
C、低，差，多
D、高，好，多
在集成电路版图设计中，器件之间的联接是通过引线孔和金属层联接的，如有源区的引出，多晶硅电阻的联接。
目前比较成熟且广泛应用的是晶硅类电池。多晶硅比单晶硅转换效率()，但价格更()。
A.低、便宜
B.低、贵
C.高、便宜
D.高、贵
A燃料电池
B锂电池
C太阳能电池
D镍电池
半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅
A、①②④
B、①②③④
C、②③④
D、③④
制约铸造多晶硅材料少子寿命的主要因素不包括（）
A、氧及其相关缺陷
B、参杂浓度
C、以间隙铁为主的过渡族金属杂质
D、材料中的缺陷密度及其分布
