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如图所示，两长直导线的电流I1＝I2，L是包围I1、I2的闭合曲线，下列说法正确的是（）。
AL上各点的磁场强度H的量值相等，不等于0
BL上各点的磁场强度H等于0
CL上任一点的磁场强度H等于I1、I2在该点的磁场强度的叠加
DL上各点的磁场强度H无法确定
相关热点： 磁场强度
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应用安培环路定律∮LHdL=∑I，半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可以得出（）。
A、在其外部，即r＞R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同
B、r＞R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度
C、r＞R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度
D、在其内部，即r＜R处的磁场强度与r成反比
下列有关磁化曲线的正确叙述为（）
A、磁化曲线表示磁场强度H与磁感应强度B的关系
B、经过一次磁化后，把磁场强度降为零时的磁通密度称为饱和磁通密度
C、在铁磁材料中，磁场强度通常与磁通密度成正比
D、经过一次磁化后，把磁场强度降为零时的磁通密度称为矫顽力
如图7-1-4所示，两长直导线的电流的闭合曲线，下列说法正确的是（）
A.L上各点的磁场强度H的量值相等，不等于0
B.L上各点的磁场强度H等于0
C.L上任-点的磁场强度H等于
在该点的磁场强度的叠加
D.L上各点的磁场强度H无法确定
下述描述中哪项不是MRI成像仪磁场强度的定义（）
A、高场MRI的磁场强度范围≥2.0T
B、高场MRI的磁场强度范围≥1.5T
C、低场MRI的磁场强度0.1～0.38T
D、中场MRI的磁场强度0.3～1.0T
E、极低场磁场强度范围≤0.04T
如图所示，两长直导线的电流I1＝I2，L是包围I1、I2的闭合曲线，下列说法正确的是（）。
AL上各点的磁场强度H的量值相等，不等于0
BL上各点的磁场强度H等于0
CL上任一点的磁场强度H等于I1、I2在该点的磁场强度的叠加
DL上各点的磁场强度H无法确定