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MOSFET的温度特性体现为：（）。
A、温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高
B、温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降
C、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高
D、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降
相关热点： 载流子
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关于本征半导体载流子，下面描述错误的是：（）
A、自由电子和空穴总是成对出现
B、电子可以自由移动，空穴不能自由移动
C、在温度升高和受光照射时，载流子的数目将增加
D、自由电子和空穴在外电场作用下，运动方向相反，形成的电流方向相同，总电流是两者之和
[单选]本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）
A．电子载流子
B．空穴载流子
C．电子载流子和空穴载流子
A．电子载流子
B．空穴载流子
C．电子载流子和空穴载流子
[判断题]在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（）
A．正确
B．错误
A．正确
B．错误
N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？
下列关于P型半导体的说法正确的是()。
A、自由电子`数大于空穴总数
B、空穴总数远大于自由电子数
C、自由电子成为多数载流子
D、空穴成为少数载流子