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关于本征半导体载流子，下面描述错误的是：（）
A、自由电子和空穴总是成对出现
B、电子可以自由移动，空穴不能自由移动
C、在温度升高和受光照射时，载流子的数目将增加
D、自由电子和空穴在外电场作用下，运动方向相反，形成的电流方向相同，总电流是两者之和
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下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是( )
A.仅自由电子是载流子B.仅空穴是载流子C.自由电子和空穴都是载流子D.三价杂质离子也是载流子
A.仅自由电子是载流子B.仅空穴是载流子C.自由电子和空穴都是载流子D.三价杂质离子也是载流子
电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）
A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率
B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度
C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率
D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率
A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率
B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度
C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率
D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率
15.(判断题)在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。()(本题2.0分)
A、正确
B、错误
A、正确
B、错误
光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上，假设光照引起的载流子产生率为1013cm-3，求少数载流子浓度和电阻率。
简述光生伏特效应中正确的是（）
A、用能量小于禁带宽度的光子照射p-n结；
B、p、n区都产生电子—空穴对，产生平衡载流子；
C、平衡载流子破坏原来的热平衡；
D、非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；若p-n结开路，在结的两边积累电子—空穴对，产生开路电压。