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利用霍尔效应制作的霍尔元件.广泛应用于测量和自动控制等领域。下图是霍尔原理工作图,磁感应强度为B,磁场方向垂直于霍尔元件的工作面向里,通入图示方向的电流为I,a、b两侧面会形成电势差。下列正确的是(  )。
A.若霍尔元件的载流子是正电荷,a侧电势高于b侧B.若霍尔元件的载流子是负电荷,a侧电势高于b侧C.无论霍尔元件的载流子是正、负电荷。a侧电势均高于b侧D.霍尔元件给定后,霍尔电压反比于磁感应强度B和通人的电流,的大小

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场效应管参与导电的载流子是()。

A、电子

B、空穴

C、多数载流子

D、少数载流子

关于本征半导体载流子,下面描述错误的是:()

A、自由电子和空穴总是成对出现

B、电子可以自由移动,空穴不能自由移动

C、在温度升高和受光照射时,载流子的数目将增加

D、自由电子和空穴在外电场作用下,运动方向相反,形成的电流方向相同,总电流是两者之和

(单选题)晶体三极管的反向电流是由()运动形成的。(本题2.0分)
A、多数载流子
B、少数载流子
C、扩散
D、少数载流子和多数载流子共同
(填空题)N型半导体中多数载流子是___,P型半导体中多数载流子是____。(本题4.0分

光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上,假设光照引起的载流子产生率为1013cm-3,求少数载流子浓度和电阻率。

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