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在晶体管的输出特性中有三个区域分别是()

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跟DRAM相比,SRAM的特点是()

A、每位晶体管数目多,访问时间短,抗干扰强,花费高

B、每位晶体管数目多,访问时间长,抗干扰强,花费高

C、每位晶体管数目少,访问时间长,抗干扰弱,花费高

D、每位晶体管数目少,访问时间短,抗干扰强,花费低

计算机采用的主机电子器件的发展顺序是()。
A.晶体管、电子管、中小规模集成电路、大规模和超大规模集成电路B.电子管、晶体管、中小规模集成电路、大规模和超大规模集成电路C.晶体管、电子管、集成电路、芯片D.电子管、晶体管、集成电路、芯片

电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

从半导体加工技术方面看,微机上一般多采用()。

A、MOS晶体管

B、DOS晶体管

C、POS晶体管

电子点火装置其中按信号发生器工作原理的不同可分为()晶体管点火装置,()晶体管点火装置,()晶体管点火装置和()无触点晶体管点火装置。

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