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跟DRAM相比，SRAM的特点是（）
A、每位晶体管数目多，访问时间短，抗干扰强，花费高
B、每位晶体管数目多，访问时间长，抗干扰强，花费高
C、每位晶体管数目少，访问时间长，抗干扰弱，花费高
D、每位晶体管数目少，访问时间短，抗干扰强，花费低
相关热点： 晶体管 抗干扰
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[多选]晶体管的参数是（）的依据。
A．试验
B．设计电路
C．选用晶体管
D．监测晶体管
E．判断反馈类型
A．试验
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场效应晶体管根据结构不同，可分为两大类：结型场效应晶体管和绝缘栅型场效应晶体管。
A、对
B、错
电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管（）；可关断晶闸管 （）；功率场效应晶体管（）；绝缘栅双极型晶体管（）；IGBT是（）和（）的复合管。
计算机采用的逻辑元件的发展顺序是（）
A、晶体管、电子管、集成电路、大规模集成电路
B、电子管、晶体管、集成电路、大规模集成电路
C、晶体管、电子管、集成电路、芯片
D、电子管、晶体管、集成电路、芯片