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有关半导体剂量仪的叙述，不正确的是（）
A、当电离辐射照射半导体探测器时，产生的载流子在电场作用下形成脉冲信号
B、根据掺杂情况不同，有N型半导体探测器和P型半导体探测器
C、相同体积的半导体探测器，要比空气电离室的灵敏度低，这是在放射治疗中普遍使用电离室的原因
D、高原辐射会使半导体探测器晶格发生畸变，导致探头受损，灵敏度下降
E、环境温度会影响半导体探测器的灵敏度
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在过去的10年中，美国半导体工业生产的半导体增加了200%，但日本半导体工业生产的数量增加了500%，因此，日本现在比美国制造的半导体多。以下哪项如果是真的最能削弱以上论证？
A．在过去5年中，美国半导体工业生产的半导体增长仅100%。
B．在过去10年中，美国生产的半导体的美元价值比日本生产的高。
C．今天，美国半导体出口在整个出口产品中所占的比例比10年前高。
D．10年前，美国生产的半导体占世界半导体的90%，而日本仅占2%。
E．10年前，日本生产的半导体是世界第四位，而美国列第一位。
哪种半导体材料具有记忆特征（）
A、本征半导体
B、化合物半导体
C、有机半导体
D、玻璃半导体
下述说法中,正确的是() [5分]
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,
所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.
B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电.
C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,
所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.
B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电.
C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.
半导体中掺加的杂质不同，一般可分为()半导体和()半导体两类
半导体的中，（）称为费米能级；对本征半导体，费米能级位于（），表示（）。费米能级靠近导带，表示（），是（）型半导体；费米能级靠近价带，表示（），是（）型半导体。