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半导体中掺加的杂质不同,一般可分为()半导体和()半导体两类

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在过去的十年中,由美国半导体工业生产的半导体增加了200%,但日本半导体工业生产的半导体增加了500%。因此,日本现在比美国制造的半导体多。以下哪项为真,最能削弱以上命题?
A.在过去的5年中,由美国半导体工业生产的半导体增长仅100%。
B.在过去的10年中,美国生产的半导体的价值比日本生产的高。
C.今天美国半导体出口在整个出口产品中所占的比例比10年前高。
D.10年前,美国生产的半导体占世界半导体的90%,而日本仅占2%。

下述说法中,正确的是() [5分]
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,
所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.
B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电.
C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.

半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,下列关于气敏传感器工作机理的描述,不正确的是()。

A、氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加

B、氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子增多,电阻值减少

C、还原性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加

D、还原性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值增加

半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换,当氧化性气体吸附到N型半导体上,使半导体载流子减少,电阻值();当氧化性气体吸附到P型半导体上,使半导体载流子(),电阻值减少。

本征半导体中掺入少量三价元素,构成的是P型掺杂半导体,其中多数的载流子是()型;若在本征半导体中掺入少量的()元素,构成的是()型半导体,其中多数载流子是()。

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