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对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。
A、非平衡载流子浓度成正比；
B、平衡载流子浓度成正比；
C、非平衡载流子浓度成反比；
D、平衡载流子浓度成反比。
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半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。
A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少
C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
下列关于P型半导体的说法正确的是()。
A、自由电子`数大于空穴总数
B、空穴总数远大于自由电子数
C、自由电子成为多数载流子
D、空穴成为少数载流子
MOSFET的温度特性体现为：（）。
A、温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高
B、温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降
C、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高
D、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降
下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是( )
A.仅自由电子是载流子B.仅空穴是载流子C.自由电子和空穴都是载流子D.三价杂质离子也是载流子
A.仅自由电子是载流子B.仅空穴是载流子C.自由电子和空穴都是载流子D.三价杂质离子也是载流子
光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上，假设光照引起的载流子产生率为1013cm-3，求少数载流子浓度和电阻率。