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N型半导体中的自由电子多于空穴，而P型半导体中的空穴多于自由电子，是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？
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半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，下列关于气敏传感器工作机理的描述，不正确的是（）。
A、氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
B、氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子增多，电阻值减少
C、还原性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
D、还原性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值增加
N型半导体中的自由电子多于空穴，而P型半导体中的空穴多于自由电子，是否N型半导体带负电，而P型半导体带正电？
下述说法中,正确的是() [5分]
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,
所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.
B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电.
C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,
所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.
B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电.
C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.
在本征半导体中掺入3价元素就成为()型半导体。
A.P型半导体
B.N型半导体
C.PN结
D.纯净半导体
吸收剂量测量的常用现场应用方法为（）
A、电离室、热释光、半导体和量热法等
B、电离室、半导体、量热法和化学剂量计法等
C、电离室、半导体、量热法和胶片法等
D、半导体、热释光、胶片法和化学剂量计等
E、电离室、半导体、热释光和胶片法等