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三极管的反向电流ICBO是由()组成的
A、多数载流子
B、少数载流子
C、多数载流子和少数载流子
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利用霍尔片，我们可以测量一步到位哪些物理量（）。
A、磁场；B、电功率；C、载流子浓度；D、载流子类型。
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MOSFET的温度特性体现为：（）。
A、温度升高，载流子迁移率升高，跨导升高，阀值电压升高
B、温度升高，载流子迁移率升高，跨导下降，阀值电压下降
C、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压升高
D、温度升高，载流子迁移率下降，跨导下降，阀值电压下降
假设某LED具有100MHz的3-dB电带宽（完全决定于其载流子寿命）。试求载流子寿命，并画出此二极管在0~500MHz范围内类似于下图的归一化频率响应曲线
在N型杂质半导体中，多数载流子是，少数载流子是。
下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是( )
A.仅自由电子是载流子B.仅空穴是载流子C.自由电子和空穴都是载流子D.三价杂质离子也是载流子
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