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和动态MOS存储器相比,双极型半导体存储器的性能是________。

A.集成度高,存取周期快,位平均功耗少

B.集成度高,存取周期快,位平均功耗大

C.集成度低,存取周期快,位平均功耗大

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计算机组成设计不考虑___。
A.专用部件设置
B.功能部件的集成度
C.控制机构的组成
D.缓冲技术

ASLC模拟用户板中采用高集成度的IC,每板可容()路模拟用户。

A、8

B、12

C、16

D、24

和动态MOS存储器比较,双极性半导体存储器的性能是()。

A.集成度低,存取周期快,位平均功耗大

B.集成度低,存取周期慢,位平均功耗小

C.集成度高,存取周期快,位平均功耗小

D.集成度高,存取周期慢,位平均功耗大

下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中,正确的是(  )。

A、静态RAM(SRAM)集成度低,但存取速度快且无须“刷新”

B、DRAM的集成度高且成本高,常做Cache用

C、DRAM的存取速度比SRAM快

D、DRAM中存储的数据断电后不会丢失

计算机组成设计不考虑()

A.专用部件设置

B.功能部件的集成度

C.控制机构的组成

D.缓冲技术

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