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和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能是()。
A．集成度低，存取周期快，位平均功耗大
B．集成度低，存取周期慢，位平均功耗小
C．集成度高，存取周期快，位平均功耗小
D．集成度高，存取周期慢，位平均功耗大
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芯片由小规模集成到今天的特大规模集成，其集成度提高了8到9倍。
A、对
B、错
ASLC模拟用户板中采用高集成度的IC，每板可容（）路模拟用户。
A、8
B、12
C、16
D、24
下列有关Moore定律正确叙述的是（）。
A、单块集成电路的集成度平均每8~14个月翻一番
B、单块集成电路的集成度平均每18~24个月翻一番
C、单块集成电路的集成度平均每28~34个月翻一番
D、单块集成电路的集成度平均每38~44个月翻一番
以下关于CMOS系列集成门电路说法中，正确的是( )
A.主要由场效应管构成，它的特点是集成度低、功耗低、速度快B.主要由场效应管构成，它的特点是集成度高、功耗低、速度慢C.主要由双极型晶体三极管构成，它的特点是集成度低、功耗低、速度快D.主要由双极型晶体三极管构成，它的特点是集成度高、功耗低、速度慢
A.主要由场效应管构成，它的特点是集成度低、功耗低、速度快B.主要由场效应管构成，它的特点是集成度高、功耗低、速度慢C.主要由双极型晶体三极管构成，它的特点是集成度低、功耗低、速度快D.主要由双极型晶体三极管构成，它的特点是集成度高、功耗低、速度慢
下面关二随机存取存储器(RAM)的叙述中，正确的是
A．静态RAM(SRAM)集成度低，但存取速度快且无须刷新
B．DRAM的集成度高且成本高，常做Cache用
C．DRAM的存取速度比SRAM快
D．DRAM中存储的数据断电后不会丢失