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A.集成度高,工作电压低,功耗低,散热少,适用于移动计算

B.高性能PENTIUMIII处理器的小型化

C.更高的后端总线传输带宽

D.集成了全速256KB二级高速缓存

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和动态MOS存储器比较,双极性半导体存储器的性能是()。

A.集成度低,存取周期快,位平均功耗大

B.集成度低,存取周期慢,位平均功耗小

C.集成度高,存取周期快,位平均功耗小

D.集成度高,存取周期慢,位平均功耗大

A.速度高于静态RAM

B.不需要刷新电路

C.集成度高于静态RAM

D.一般用于存放程序代码

微电子技术是信息技术领域的关键技术,它以集成电路(IC)为核心。在下列有关叙述中,错误是的()

A、目前IC芯片(如CPU芯片)的集成度可达数千万个电子元件

B、Moore定律指出单块IC的集成度平均每半年翻一番

C、从原料熔炼到最终产品包装,IC的制造工序繁多,工艺复杂,技术难度非常高

D、非接触式IC卡采用电磁感应方式无线传输数据,所以又称为射频卡或感应卡

以下对动态RAM描述正确的是()

A、速度高于静态RAM

B、不需要刷新电路

C、集成度高于静态RAM

D、一般用于存放程序代码

下面关于随机存取存储器中静态RAM和动态RAM的叙述中,正确的是()。

A.静态RAM(SRAM)集成度低,但存取速度快且无须刷新

B.DRAM的集成度高且成本高,常做Cache用

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.DRAM中存储的数据断电后不会丢失

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