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应用安培环路定律对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知( )。
A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同
B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度
C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度
D.在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比
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工件中缺陷漏磁场强度与缺陷埋藏深度的关系是()。
A、深度越大,漏磁场强度越高
B、深度越小,漏磁场强度越低
C、深度越小,漏磁场强度越高
D、深度与漏磁场强度无关
如图所示,两长直导线的电流I1=I2,L是包围I1、I2的闭合曲线,下列说法正确的是()。
A、L上各点的磁场强度H的量值相等,不等于0
B、L上各点的磁场强度H等于0
C、L上任一点的磁场强度H等于I1、I2在该点的磁场强度的叠加
D、L上各点的磁场强度H无法确定
如图7-1-4所示,两长直导线的电流I1=I2,L是包围I1、I2的闭合曲线,下列说法正确的是( )。图7-1-4
A、L上各点的磁场强度H的量值相等,不等于0
B、L上各点的磁场强度H等于0
C、L上任一点的磁场强度H等于I1、I2在该点的磁场强度的叠加
D、L上各点的磁场强度H无法确定
同样电流通过长度相同,直径分别为1厘米和2厘米的钢棒,形成磁场的比较是()
A、直径1厘米钢棒中心磁场强度是直径2厘米钢棒中心磁场强度的1/2
B、直径2厘米钢棒中心磁场强度是直径1厘米钢棒中心磁场强度的1/2
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D、直径1厘米钢棒中心磁场强度是直径2厘米钢棒中心磁场强度的1/4
下述描述中哪项不是MRI成像仪磁场强度的定义()
A、高场MRI的磁场强度范围≥2.0T
B、高场MRI的磁场强度范围≥1.5T
C、低场MRI的磁场强度0.1~0.38T
D、中场MRI的磁场强度0.3~1.0T
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