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十年前，甲国生产的半导体占世界半导体的60%，而乙国仅占25％。在这十年中，甲国生产的半导体增加了200%,而乙国生产的半导体增加了500％。这意味着，现在乙国半导体产量在世界总产量中的比重有所上升。（ ）
A.正确
B.错误
相关热点： 半导体 总产量
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若在本征半导体中掺入某些适当微量元素后，若以空穴导电为主的称（），若以自由电子导电为主的称（）。
A、PNP型半导体／NPN型半导体
B、N型半导体／P型半导体
C、PN结／PN结
D、P型半导体／N型半导体
半导体传感器是通过材料的电特性变化实现被测量的转换，当氧化性气体吸附到N型半导体上，使半导体载流子减少，电阻值（）；当氧化性气体吸附到P型半导体上，使半导体载流子（），电阻值减少。
下列有关半导体点火器的说法中，有误的是：（）
A、半导体点火器的点火效应比火花塞要好。
B、半导体点火器是一种利用半导体的热效应来使电容放电起弧的点火装置。
C、半导体点火器的最大优点是所释放的点火能量可以做得很大。
D、在积炭和沾油的情况下，半导体点火器将不能正常工作。
下述说法中,正确的是() [5分]
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,
所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.
B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电.
C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,
所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.
B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电.
C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.
半导体中掺加的杂质不同，一般可分为()半导体和()半导体两类