“光电二极管与光电池相比较，其特性有所不同，下列的说法不不正确的是（）
A、它们的掺杂浓度不同，光电池掺杂浓度较低，而光电二极管掺杂浓度高
B、它们的电阻率不同，光电池的电阻率低
C、工作电压偏置条件不同，光电池通常在零偏置下工作，而硅光电二极管通常在反向偏置下工作
D、它们的光电流的大小不同，硅光电二极管的光电流小得多，通常在微安级
关于半导体光伏器件，以下说法正确的是：（）
A、光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第一象限；
B、光电二极管通常工作在其伏安特性曲线的第四象限
C、光电池通常工作在其伏安特性曲线的第一象限；
D、光电池通常工作在其伏安特性曲线的第四象限；
在1000lx的光照下，某光电池的开路电压是0.56伏，短路电流是0.28毫安。若要使用此光电池测量从几百到几千勒克斯的光照度，则关于其负载电阻最合适的说法是：（）
A、A
B、B
C、C
D、D
