PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子空穴向（）区进行扩散，N型半导体中的多数载流子自由电子向（）区进行扩散。
光照射在一块掺杂浓度为1017cm-3的N型硅样品上，假设光照引起的载流子产生率为1013cm-3，求少数载流子浓度和电阻率。
