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下述描述中哪项不是MRI成像仪磁场强度的定义( )
A、高场MRI的磁场强度范围≥2.0T
B、高场MRI的磁场强度范围≥1.5T
C、低场MRI的磁场强度0.1~0.38T
D、中场MRI的磁场强度0.3~1.0T
E、极低场磁场强度范围≤0.04T
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关于电流形成磁场的叙述正确的是()
A、螺管线圈的磁场强度只与匝数有关,而与其尺寸无关
B、磁场只存在于电流流过的导体内部
C、通电导体表面的磁场强度与电流强度成反比
D、通电导体表面原磁场强度与其半径成反比
工件中缺陷漏磁场强度与缺陷埋藏深度的关系是()。
A、深度越大,漏磁场强度越高
B、深度越小,漏磁场强度越低
C、深度越小,漏磁场强度越高
D、深度与漏磁场强度无关
同样电流通过长度相同,直径分别为1厘米和2厘米的钢棒,形成磁场的比较是()
A、直径1厘米钢棒中心磁场强度是直径2厘米钢棒中心磁场强度的1/2
B、直径2厘米钢棒中心磁场强度是直径1厘米钢棒中心磁场强度的1/2
C、两根钢棒中心的磁场强度均为零
D、直径1厘米钢棒中心磁场强度是直径2厘米钢棒中心磁场强度的1/4
如图7-1-4所示,两长直导线的电流I1=I2,L是包围I1、I2的闭合曲线,下列说法正确的是()。
A.L上各点的磁场强度H的量值相等,不等于0B.L上各点的磁场强度H等于0C.L上任一点的磁场强度H等于I1、I2在该点的磁场强度的叠加D.L上各点的磁场强度H无法确定
A.L上各点的磁场强度H的量值相等,不等于0B.L上各点的磁场强度H等于0C.L上任一点的磁场强度H等于I1、I2在该点的磁场强度的叠加D.L上各点的磁场强度H无法确定
应用安培环路定律对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知( )。
A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D.在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比
A.在其外部,即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同B.r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度C.r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度D.在其内部,即r<R处的磁场强度与r成反比