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7.下述说法中，正确的是（）
(A)本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电，而杂质半导体(n型或p型)只有
一种载流子(电子或空穴)参予导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好．
(B)n型半导体的导电性能优于p型半导体，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体
是正离子导电．
(C)n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部，使局部能级中多余
的电子容易被激发跃迁到空带中去，大大提高了半导体导电性能．
(D)p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动．
相关热点： 半导体 载流子
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下述说法中,正确的是() [5分]
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,
所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.
B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电.
C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.
A.本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参予导电,而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流子(电子或空穴)参予导电,
所以本征半导体导电性能比杂质半导体好.
B.n型半导体的导电性能优于p型半导体,因为n型半导体是负电子导电,p型半导体是正离子导电.
C.n型半导体中杂质原子所形成的局部能级靠近空带(导带)的底部,使局部能级中多余的电子容易被激发跃迁到空带中去,大大提高了半导体导电性能.
D.p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动.
在过去的10年中，由美国半导体工业生产的半导体增加了200%，但日本半导体工业生产的半导体增加了500%。因此，日本现在比美国制造的半导体多。
以下哪项如果为真，最能削弱以上命题?
A．在过去的5年中，由美国半导体工业生产的半导体增长仅100%。
B．在过去的10年中，美国生产的半导体的价值比日本生产的高。
C．今天美国半导体出口在整个出口产品中所占的比例比10年前高。
D．10年前，美国生产的半导体占世界半导体的90%，而日本仅占2%。
哪种半导体材料具有记忆特征（）
A、本征半导体
B、化合物半导体
C、有机半导体
D、玻璃半导体
参杂硼元素的半导体是（）.
A、p型半导体
B、本征半导体
C、N型半导体
D、pn结
多媒体中的“媒体”有两重含义，一是指存储信息的实体；二是指表达与传递信息的载体。（）是存储信息的实体；（）是表达与传递信息的载体。
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