下列材料属于N型半导体是()。
A.硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As)
B.硅中掺有元素杂质硼(B)、铝(Al)
C.砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(TE)
D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁
砷化镓膜材料主要通过外延技术制备。主要外延方法有（）外延、液相外延和（）外延
比较砷化镓和磷化铟等衬底与硅衬底上的电感等效电路，试分析两者存在差异的原因。
砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。
硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷化镓片用()系、氢氧化氨系蚀腐蚀液。
薄膜太阳能电池的半导体薄膜不能是（）。
A、多晶体
B、非晶体
C、砷化镓
D、单晶体
光电池有（）种类。
A、硅光电池
B、硒光电池
C、锗光电池
D、砷化镓光电池
E、锂光电池
属于绝缘体的正确答案是()。
A.金属、石墨、人体、大地
B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷
C.硅、锗、砷化镓、磷化铟
D.各种酸、碱、盐的水溶液
德国人（）首次发现了砷化镓的光伏效应，在玻璃上沉积硫化镉薄膜，制成了太阳能光伏电池。
A、乔治•华盛顿
B、卡茂林•昂内斯
C、贝尔
D、威克尔
在太阳能供电系统中，( )稳定性差，寿命短，同时又会污染环境。
A单晶硅太阳电池
B非晶硅太阳电池
C砷化镓太阳电池
D硫（碲）化镉太阳电池
在太阳能供电系统中，( )抗辐射能力很强，目前主要运用于宇航及通信卫星等空间领域。
下列关于电子产业说法中错误的是（）
A、微电子技术以集成电路为核心
B、硅是微电子产业中常用的半导体材料
C、现代微电子技术已经用砷化镓取代了硅
D、制造集成电路都需要使用半导体材料
在太阳能供电系统中，( )是目前在通信系统应用最广泛的一种太阳电池，其效率可达18%，但价格较高。
下面关于集成电路(IC)的叙述中正确的是()。
A.集成电路是20世纪60年代出现的
B.按用途可分为通用和专用两大类，微处理器和存储器芯片都属于专用集成电路
C.现代微电子技术已经用砷化镓取代了硅
D.集成电路的工作速度与组成逻辑门电路的晶体管尺寸有密切关系
目前，集成电路晶体管普遍采用硅材料制造，当硅材料尺寸小于10纳米时，用它制造出的晶体管稳定性变差。而2010年获得诺贝尔物理学奖的______即使被切成1纳米宽的元件，导电性也很好。因此，它被普遍认为会最终替代硅，从而引发电子工业革命。
A．热敏材料
B．砷化镓材料
C．光敏材料
D．石墨烯材料
下列关于集成电路的叙述中错误的是（）
A、集成电路是将大量晶体管、电阻及互连线等制作在尺寸很小的半导体单晶片上
B、现代集成电路使用的半导体材料通常是硅或砷化镓
C、集成电路根据它所包含的晶体管数目可分为小规模、中规模、大规模、超大规模和极大规模集成电路
D、集成电路按用途可分为通用和专用两大类。微处理器和存储器芯片都属于专用集成电路
